Connaitre les Modules Mémoires
L'évolution de la mémoire s'est faite parallèllement à celle des CPU. Il est impossible d'installer n'importe quelle mémoire sur n'importe quelle carte mère. Les nouvelles technologies de mémoire sont à la base de l'augmentation très importante des perf d'un PC. Nous allons passer en revue les types de mémoires les plus courantes , qui sont utilisés, qui l'ont été ou qui le seront. Sub`FPM DRAM : mémoire la plus utilisée sur les anciens PC 486 et les tout premiers PC Pentium. En règle générale , la lecture des données contenues en mémoires n'est pas réalisée de manière aléatoir, mais les données sont lues généralement enregistrées dans des zones voisines de la mémoire. C'est ce fait qui est exploité par ce genre de mémoires., dans le cadre appelé Burst Mode. Une adresse de ligne est transmise à la mémoire (désignant une page) puis différentes colonnes sont lues dans cette ligne.
Le temps d'accés à ce type de mémoire est de 60 à 70 ns ( ns=nanoseconde) le Cpu devait attendre longtemps avant que la mémoire ne renvoie le résultat. Le délai est compté en nombre de cycles, dont le séquencement est indiqué sur la plupart des versions de BIOS pour une combinaison de 4 chiffres. La valeur type pour une FPM DRAM est de 5-3-3-3.
Ce qui veut dire que le CPU doit attendre 5 cycles d'horloge pour le premier bit, puis trois cycles pour les bits suivants, pour un burst de 4 bits.
Exemple de FTM cliquez sur le moduleEDO DRAM-Extented Data Out: La EDO est un dévellopement de la mémoire FTM qui est apparu en 1994. La différence se situe dans la méthode d'accés : un registre supplémentaire permet d'enregistrer l'adresse du prochain accès. Le module mémoire peut donc préparer l'accés de la tache précédente. Le gain de temps lors de l'accés à une page mémoire est de 40%., ce qui permet de ramener les 35ns (28.5MHz) à 25 ns(40MHZ). La séquence pour une fréquence de 40MHz est de 5-2-2-2.
Les EDO DRAM doivent être prise en charge par le chipset. Certaines cartes mères sont à même de gerer une combinaison de module FPM /EDO s'ils sont installés sur des bancs différents. C'est super idiot car la sequence de Burst est généralement réglée par rapport au module le plus lent.
BEDO DRAM-Burst Extented Data Out : il s'agit d'un produit concurrent des mémoires SDRAM actuelles. Tous les accés sont réalisés en mode 4-bit-Burst. la sequence est de 5-1-1-1, ce qui signifie que les 3 derniers bits d'un accés Burst sont renvoyés à une fréquence de 66 MHz. Cette caractéristique permet une amélioration de la vitesse , mais elle ne joue qu'un rôle secondaire. En effet les mémoires SDRAM se sont imposées car mieux prise en charge par les chipsets 430 VX et 430 TX d'intel
SDRAM-Synchronous Dynamic RAM: les mémoires SDRAM jouent un rôle trés important dans les domaine PC depuis l'apparition des cartes Pentium II. Ce processeur demande en effet des modules mémoires dont le temps d'accés sont de maximum 10ns.
Les SDRAM transmettent en général les données selon une séquence de 5-1-1-1 et constituent ainsi les premières mémoires à fonctionner en synchronisme avec la frequence de bus.
Ces mémoires disposent en interne de 2 bancs de mémoire indépendants DIMM (Dual In-Line Memory Module ) auxquels le bus peut accéder alternativement ou individuellement. Il est ainsi possible d'adresser 2 cellules simultanément. Lors de la lecture d'un banc, l'autre peut assurer le rafraichissement de ses cellules.
Par ailleurs la séquence Burst peut être programmé avec des longueurs plus importantes , pour des valeurs de 1,2,4 ou 8 bits.
La technologie DIMM permet d'eviter l'installation obligatoire par paires de modules mémoires. Chaque module constitue une paire capable d'assurer seul un flux de données de 64 bits vis-à-vis du CPU, contrairement à la technologie SIMM ( Single In-Line-Memory) dont la largeur est limitée à 32 bits.
De plus, l'utilisation de 4 signaux d'horloge pour un module mémoire réduit l'incidence du temsp d'accés au premier bit, de telle sorte que même ke CPU reçoit les données avec un décalage, le flux de données est beaucoup plus fluide, car 4 tâches peuvent être traitées simultanément.DDR SDRAM sont basées sur le même principe que les SDRAM. Une technique est utilisée pour doubler le taux de transfert de données par rapport aux SDRAM, en effet cette technique permet la transmission de données sur le front montant et sur le front descendant d'un signal. Une nouvelle logique de commutation permet d'atteindre des fréquences plus élevées. Par exemple la largeur d'une bande des modules à 200MHz (pour une fréquence FSB de 100 MHz) atteint 1,6 Go/s voir même 2,1 Go/s pour les modules à 266 MHz. Le taux de transfert des modules mémoire Rambus est même dépassé.
DRDRAM-Direct Rambus : les modules mémoire DRDRAM sont essentiellement pris en charge par les circuits i820, i840, i850 d'intel. Ce n'est pas seulement un type de mémoire , mais un système de bus complet. La technologie Direct-Rambus permet d'atteindre un taux de transfert de 1,6 Go/s avec une fréquence mémoire de 800 MHz et tune largeur de bus de 16 bits. Ce taux de transfert de 1,6 Go/s est obtenu en traitant 2 Octects 800 millions de fois par seconde.En simple comparaison un SDRAM disposant d'une largeur de bus de 64 bits et à une fréquence de 133 MHz permet de transferer 8 Octects , 133 millions de fois par seconde soit 1Go/s .Ce taux est donc doublé avec une DRDRAM.
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